PC-3000 Flash智能重读模式

嘿,伙计们!

您可能知道,使用主动技术支持服务的所有客户的个人更新框中都有新版本的 PC-3000 Flash 7.1.1。

在这篇文章中,我们想告诉你更多关于一个新的智能重读模式,它在最近的更新中出现。

注意! 此功能仅适用于 PC-3000 闪存4.0 和 PC-3000 闪存 3.0(PC-3000 闪存 3.0 需要外部电源控制适配器) )

在继续使用闪存案例之前,必须执行 3 个基本步骤:

  • Read NAND 芯片;
  • 启动 ECC 校正;
  • 重读未由 ECC 修复的坏扇区。

这些步骤是必要的,因为高位错误率可能会对用户数据产生不良影响,使数据无法恢复。详细过程在我们的文章”PC-3000 Flash”中进行了描述。数据更正方法”。你可以在这里找到它们:第1部分,第2部分第3部分

上述方法工作奇迹,但有时他们需要太多的行动采取:

  1. 修复尽可能多的ECC错误;
  2. 构建未更正扇区地图;
  3. 使用重读算法(自动验证 + ECC)或 ReadRetry 重读它们;
  4. 构建新的未更正扇区地图;
  5. 使用电压控制重读它们(仅适用于 PC-3000 Flash ver 3.0,带扩展电源适配器,带集成电源适配器的 ver 4.0)。

ACE 实验室开发人员添加了一种新的、非常方便的方式自动执行所有这些操作。所有你需要做的就是阅读芯片,使ECC校正和启动数据准备->工具->智能重读模式。以下是您得到的:

  • 生成重读地图,深入分析页面;
  • 基于以前创建的”重新阅读地图”构建的未更正扇区子映射;
  • 最有效的读取重试类型由特殊样本选择;
  • 使用相同类型的 ReadRetry 应用子映射的快速读出;
  • 自动选择电压电源并评估最有效的电压;
  • 快速重新读取未校正页面的剩余子图,并具有恒定最有效的电压;
  • 重读未更正页面子映射的剩余区域,并完整列出 ReadRetry 类型;
  • 使用全系列电源读取未更正页面的剩余子映射区域。

你唯一应该记住的 – 你目前正在处理的 Nand 芯片应该在阅读器里!

如果有 2 或 4 个部件/物理芯片,则需要对每个芯片分别执行上述操作。PC-3000 闪存将在读取器中与物理 NAND 通信,因此在应用智能重读模式时,请务必检查您使用与在芯片读取过程中相同的 NAND 顺序。

2 个物理芯片,共 2 个部件:

PC-3000 Flash智能重读模式

2个物理芯片,共4个部分:

PC-3000 Flash智能重读模式

以下是步骤:

  1. 启动 ECC 自动检测和校正:

PC-3000 Flash智能重读模式

PC-3000 Flash智能重读模式

如果您按照地图 + ECC = 创建子映射使用 ECC 信息,在 ECC 校正后,您得到大约 259Mb 的损坏扇区。不严重, 但最好还是修复它们:

PC-3000 Flash智能重读模式

2. 当 ECC 校正结束时,按数据准备 -> 工具 -> 智能重读模式:

PC-3000 Flash智能重读模式

创建具有坏扇区链:

PC-3000 Flash智能重读模式

使用 ReadRetry 的地图重新读取坏扇区;

PC-3000 Flash智能重读模式

通过未校正扇区地图重新读取电压控制的坏扇区。

PC-3000 Flash智能重读模式

3. 最终结果!只有 32kb 的未更正扇区, 而不是 +259MB!干得好,智能重读模式!🙂

PC-3000 Flash智能重读模式

如有任何疑问,请与我们联系

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